Транзистори

Транзистори є напівпровідниковими приладами та належать до активних електронних компонентів. З їх допомогою здійснюється перемикання, перетворення, а також посилення та генерування електричних сигналів.

Існує два основних види транзисторів:

• польові (уніполярні);
• біполярні.

Польові транзистори

Принцип дії польових транзисторів заснований на управлінні опором струмопровідного каналу електричним полем, яке створюється напругою, що прикладається до затвора.

Як правило польовий транзистор має 3 виводи:

• затвор (керуючий вивід);
• стік;
• витік.

Одними з найпоширеніших є транзистори MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), із ізольованим затвором збагаченого типу з n-каналом та внутрішнім з'єднанням підкладки та витоку.

Відмінною особливістю MOSFET транзисторів є малий опір відкритого каналу, що дозволяє його застосовувати у ключовому режимі у схемах управління інверторів, перетворювачів, джерел безперебійного живлення тощо, де необхідно комутувати потужне навантаження.

Також існують польові транзистори з каналом p- та n- типу. Високий опір затвора та малий струм управління цих транзисторів дозволяє їх використовувати у вхідних ланцюгах схем посилення сигналів.

Біполярні транзистори

Біполярні транзистори мають трививідну структуру:

• база;
• колектор;
• емітер.

Вони є струмовим приладом, тобто для роботи необхідно щоб через перехід база-емітер протікав струм управління.

Відмінною особливістю біполярного транзистора, як струмового приладу, є наявність коефіцієнта передачі струму (коефіцієнта посилення) у схемі із загальним емітером (h21е).

Існує три схеми включення: із загальним емітером, із загальним колектором та із загальною базою.

Біполярні транзистори можуть працювати як у підсилювальному, так і ключовому режимі.

В інверторах для сонячних батарей, перетворювачах постійного струму в змінний, як електронний ключ застосовуються біполярні транзистори IGBT (insulated-gate bipolar transistor) з ізольованим затвором.

Їх особливістю є наявність затвора замість бази, що властиво уніполярним транзисторам.

Транзистори IGBT забезпечують оптимальну продуктивність для сонячних інверторів, ІБЖ, зварювальних апаратів тощо, де важливі низькі втрати провідності, швидкість перемикання, високий вхідний опір.

У нашому інтернет-магазині Ви можете купити різні типи транзисторів MOSFET та IGBT для ремонту електронних плат зарядних станцій EcoFlow, Bluetti, Alpha-ESS, а також інверторів Must, EASUN, Deye.