-
images as string
Транзистор NCE20TD60B, IGBT + Diode, 600V, 20A, 54W
|
|
|
|
-
50 грн.
- 4 або більше: 47 грн.
- 16 або більше: 45 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор NCE20TD60B фірми NCE має такі функції:
- дуже низький VCE(sat);
- висока швидкість перемикання;
- позитивний температурний коефіцієнт VCE(sat);
- висока міцність, температурно-стабільна поведінка.
Застосування:
- інверторні кондиціонери;
- інвертори напруги;
- приводи двигунів;
- джерела безперебійного живлення.
| Загальні характеристики | |
| Тип корпусу | TO-220AB |
| Vces - максимальна напруга колектор-емітер | 600 V |
| Ic - максимальний струм колектора при 25°C | 40 A |
| Ic - максимальний струм колектора при 100°C | 20 A |
| If - максимальний струм діода при 100°С | 10 A |
| Vce - напруга насичення колектор-емітер | 1.7 V |
| Vge(th) - порогова напруга затвор-емітер | 4V ... 6V |
| Ciss - ємність затвора | 2580 pF |
| Qg - заряд затвора | 97 nC |
| Pd - розсіювання потужності при 25°C | 135 W (54 W при 100°C) |
Рекомендовані товари
-
Транзистор NCE60H15, MOSFET N‑канал, 60V, 150A, 3.1мОм
60 грн.
-
Транзистор NCEP85T16, MOSFET N‑канал, 85V, 160A, 3.1мОм
63 грн.
-
Транзистор XNF15N60T, IGBT + Diode, 600V, 15A, 11W
30 грн.
-
Транзистор XNF20N60T, IGBT + Diode, 600V, 20A, 14W
53 грн.
-
Мікросхема EG1160 драйвер MOSFET IGBT
51 грн.
-
Мікросхема NSi6602AD драйвер MOSFET IGBT
82 грн.
-
Втулка ізоляційна для корпусу TO‑220
0,40 грн.
-
Прокладка теплопровідна силіконова 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
