• Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N-канал, 200V, 130A, 8.0мОм
  • Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N-канал, 200V, 130A, 8.0мОм
  • Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N-канал, 200V, 130A, 8.0мОм

Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N‑канал, 200V, 130A, 8.0мОм
  • Документація: IRFP4668.pdf
  • Наявність: 36 шт.

  • 105 грн.

  • 4 або більше: 90 грн.
  • 16 або більше: 80 грн.
92

Швидке замовлення:

Ми передзвонимо Вам та уточнимо деталі

0 відгуків / Написати відгук

Транзистор IRFP4668PBF розроблений фірмою International Rectifier (IR), має наступні переваги:

  • покращена стійкість затвора, лавинного пробою та динамічного dV/dt;
  • поліпшена здатність внутрішнього діода dV/dt і dI/dt;
  • не містить свинцю.

Застосування:

  •  високоефективне синхронне випрямлення в ДБЖ;
  •  джерело безперебійного живлення;
  •  високошвидкісне перемикання живлення;
  •  сонячні інвертори.
Загальні характеристики
Тип корпусу TO-247AC
V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік 200 V
Id - максимальний струм стока при 25°C 130 A
Rds(on) - опір каналу у відкритому стані 8.0 mΩ
Vgs - максимальна напруга затвор-витік ±30 V
Vgs(th) - порогова напруга затвора 3V ... 5V
Ciss - ємність затвора 10720 pF
Qg - заряд затвора 241 nC
Pd - розсіювання потужності при 25°C 520 W

Написати відгук

Примітка: HTML розмітка не підтримується! Використовуйте звичайний текст.

Рекомендовані товари

  • Транзистор IRF3205Z, MOSFET N-канал, 55V, 75A, 6.5мОм

    Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм

    33 грн.

  • Транзистор CRST041N08N, MOSFET N-канал, 85V, 120A, 3.4мОм

    Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм

    32 грн.

  • Транзистор NCE60H15, MOSFET N-канал, 60V, 150A, 3.1мОм

    Транзистор NCE60H15, MOSFET N‑канал, 60V, 150A, 3.1мОм

    60 грн.

  • Мікросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT

    Мікросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT

    56 грн.

  • Прокладка теплопровідна силіконова 25x20 для TO-247

    Прокладка теплопровідна силіконова 25x20 для TO‑247

    1,50 грн.