-
images as string
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
|
|
|
|
-
33 грн.
- 4 або більше: 30 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор IRF3205Z, розроблений фірмою International Rectifier (IR).
Цей HEXFET® Power MOSFET використовує новітні технології для досягнення дуже низького опору відкритого каналу
та має робочу температуру переходу 175°C, швидку швидкість перемикання та покращену повторюваність.
Ці функції поєднуються, щоб зробити його надзвичайно ефективним та надійним пристроєм для використання в автомобільних пристроях та перетворювальній техніці (DC/DC конверторах та інверторах).
| Загальні характеристики | |
| Тип корпусу | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік | 55 V |
| Id - максимальний струм стока при 25°C | 75 A |
| Rds(on) - опір каналу у відкритому стані | 6.5 mΩ |
| Vgs - максимальна напруга затвор-витік | ±20 V |
| Vgs(th) - порогова напруга затвора | 2V ... 4V |
| Ciss - ємність затвора | 3450 pF |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Pd - розсіювання потужності при 25°C | 170 W |
Рекомендовані товари
-
Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N‑канал, 200V, 130A, 8.0мОм
105 грн.
-
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
35 грн.
-
Транзистор NCE60H15, MOSFET N‑канал, 60V, 150A, 3.1мОм
60 грн.
-
Мікросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
-
Втулка ізоляційна для корпусу TO‑220
0,40 грн.
-
Прокладка теплопровідна силіконова 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
-
Мікросхема EG2106 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
