Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
|
|
|
-
33 грн.
- 4 або більше: 30 грн.
- 16 або більше: 25 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор IRF3205Z, розроблений фірмою International Rectifier (IR).
Цей HEXFET® Power MOSFET використовує новітні технології для досягнення дуже низького опору відкритого каналу
та має робочу температуру переходу 175°C, швидку швидкість перемикання та покращену повторюваність.
Ці функції поєднуються, щоб зробити його надзвичайно ефективним та надійним пристроєм для використання в автомобільних пристроях та перетворювальній техніці (DC/DC конверторах та інверторах).
Загальні характеристики | |
Тип корпусу | TO-220AB |
V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік | 55 V |
Id - максимальний струм стока при 25°C | 75 A |
Rds(on) - опір каналу у відкритому стані | 6.5 mΩ |
Vgs - максимальна напруга затвор-витік | ±20 V |
Vgs(th) - порогова напруга затвора | 2V ... 4V |
Ciss - ємність затвора | 3450 pF |
Qg - заряд затвора | 110 nC |
Pd - розсіювання потужності при 25°C | 170 W |