-
images as string
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
|
|
|
|
-
35 грн.
- 4 або більше: 33 грн.
- 16 або більше: 30 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор CRST045N10N фірми CRMICRO, має наступні переваги:
- використовує вдосконалену технологію CRM(CQ) SkyMOS1;
- надзвичайно низький опір увімкнення Rds(on);
- кваліфікований відповідно до критеріїв JEDEC.
Застосування:
- управління двигунами і привідами;
- керування акумуляторною батареєю;
- UPS (джерела безперебійного живлення).
| Загальні характеристики | |
| Тип корпусу | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік | 100 V |
| Id - максимальний струм стока при 25°C | 120 A |
| Rds(on) - опір каналу у відкритому стані | 3.6 mΩ |
| Vgs - максимальна напруга затвор-витік | ±20 V |
| Vgs(th) - порогова напруга затвора | 2V ... 4V |
| Ciss - ємність затвора | 6772 pF |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Pd - розсіювання потужності при 25°C | 227 W |
Рекомендовані товари
-
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
33 грн.
-
Транзистор CRG15T60A83L, IGBT + Diode, 600V, 15A, 39W
61 грн.
-
Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм
32 грн.
-
Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N‑канал, 600V, 13.5A, 0.45мОм
67 грн.
-
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W
175 грн.
-
Мікросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT
56 грн.
-
Мікросхема EG1160 драйвер MOSFET IGBT
51 грн.
-
Мікросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
-
Втулка ізоляційна для корпусу TO‑220
0,40 грн.
-
Прокладка теплопровідна силіконова 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
-
Мікросхема EG2106 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
