-
images as string
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
|
|
|
|
-
56 грн.
- 4 або більше: 51 грн.
- 16 або більше: 48 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор CRST045N10N фірми CRMICRO, має наступні переваги:
- використовує вдосконалену технологію CRM(CQ) SkyMOS1;
- надзвичайно низький опір увімкнення Rds(on);
- кваліфікований відповідно до критеріїв JEDEC.
Застосування:
- управління двигунами і привідами;
- керування акумуляторною батареєю;
- UPS (джерела безперебійного живлення).
| Загальні характеристики | |
| Тип корпусу | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік | 100 V |
| Id - максимальний струм стока при 25°C | 120 A |
| Rds(on) - опір каналу у відкритому стані | 3.6 mΩ |
| Vgs - максимальна напруга затвор-витік | ±20 V |
| Vgs(th) - порогова напруга затвора | 2V ... 4V |
| Ciss - ємність затвора | 6772 pF |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Pd - розсіювання потужності при 25°C | 227 W |
Рекомендовані товари
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
53 грн.
Транзистор CRG15T60A83L, IGBT+Diode, 600V, 15A, 39W
61 грн.
Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм
56 грн.
Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N‑канал, 600V, 13.5A, 0.45мОм
67 грн.
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W
215 грн.
Мікросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT
56 грн.
Мікросхема EG1160 драйвер MOSFET IGBT
51 грн.
Мікросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
Втулка ізоляційна для корпусу TO‑220
0,40 грн.
Прокладка теплопровідна силіконова 19x13 для TO‑220
0,60 грн.