Транзистор BS170, MOSFET N‑канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом
|
|
|
|
-
11,00 грн.
- 10 або більше: 10,00 грн.
Швидке замовлення:
Транзистор BS170 фірми ON Semiconductor – це польовий транзистор малої потужності із ізольованим каналом N структури, в корпусі TO-92.
Застосовується у схемах комутація та посилення загального призначення.
Характеристики:
- V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік, 60 V
- Id - максимальний струм стока при 25°C, 500 mA
- Rds(on) - опір каналу у відкритому стані, 1.2 Ω (Vgs=10V, Id=200mA)
- Vgs - максимальна напруга затвор-витік, ±20 V
- Vgs(th) - порогова напруга затвора, 0.8V ... 3V (Vds=Vgs, Id=1mA)
- Ciss - ємність затвора, 24 pF (Vgs=0V, Vds=10V)
- Pd - розсіювання потужності при 25°C , 830mW
- тип корпусу, TO-92
Докладніше ознайомитися з параметрами транзистора можна у розділі Характеристики або відкрити опис PDF.
У нашому інтернет-магазині можна купити транзистор BS170 за низькою ціною.
| Загальні характеристики | |
| Тип корпусу | TO-92 |
| Робоча температура | -50°C...+150°C |
| V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік | 60 V |
| Id - максимальний струм стока при 25°C | 500 mA |
| Rds(on) - опір каналу у відкритому стані | 1.2 Ω |
| Vgs - максимальна напруга затвор-витік | ±20 V |
| Vgs(th) - порогова напруга затвора | 0.8V ... 3V |
| Ciss - ємність затвора | 24 pF |
| Pd - розсіювання потужності при 25°C | 830 mW |




