Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.
  • Транзистор BS170, MOSFET N-канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом
  • Транзистор BS170, MOSFET N-канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом
  • Транзистор BS170, MOSFET N-канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом

Транзистор BS170, MOSFET N‑канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом

  • Виробник: ON Semiconductor
  • Код товару: 25.5.51
  • Артикул: BS170
  • Документація: BS170.pdf
  • Наявність: 25 шт.
  • 11,00 грн.

  • 10 або більше: 10,00 грн.
92

Швидке замовлення:

Ми передзвонимо Вам та уточнимо деталі

0 відгуків / Написати відгук

Транзистор BS170 фірми ON Semiconductor – це польовий транзистор малої потужності із ізольованим каналом  N структури, в корпусі TO-92.

Застосовується у схемах комутація та посилення загального призначення. 

Характеристики:

  • V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік, 60 V
  • Id - максимальний струм стока при 25°C, 500 mA
  • Rds(on) - опір каналу у відкритому стані, 1.2 Ω (Vgs=10V, Id=200mA)
  • Vgs - максимальна напруга затвор-витік, ±20 V
  • Vgs(th) - порогова напруга затвора, 0.8V ... 3V (Vds=Vgs, Id=1mA)
  • Ciss - ємність затвора, 24 pF (Vgs=0V, Vds=10V)
  • Pd - розсіювання потужності при 25°C , 830mW
  • тип корпусу, TO-92

Докладніше ознайомитися з параметрами транзистора можна у розділі Характеристики або відкрити опис PDF.

У нашому інтернет-магазині можна купити транзистор BS170 за низькою ціною.


Загальні характеристики
Тип корпусу TO-92
Робоча температура -50°C...+150°C
V(BR)DSS - максимальна напруга сток-витік 60 V
Id - максимальний струм стока при 25°C 500 mA
Rds(on) - опір каналу у відкритому стані 1.2 Ω
Vgs - максимальна напруга затвор-витік ±20 V
Vgs(th) - порогова напруга затвора 0.8V ... 3V
Ciss - ємність затвора 24 pF
Pd - розсіювання потужності при 25°C 830 mW

Написати відгук

Примітка: HTML розмітка не підтримується! Використовуйте звичайний текст.

Рекомендовані товари

  • Транзистор BS107A, MOSFET N-канал, 200V, 0.25A, 6.4Ом

    Транзистор BS107A, MOSFET N‑канал, 200V, 0.25A, 6.4Ом

    21,00 грн.

  • Транзистор 2N7002, MOSFET N-канал, 60V, 0.2A, 5Ом

    Транзистор 2N7002, MOSFET N‑канал, 60V, 0.2A, 5Ом

    1,20 грн.