Мікросхема NSi6602BD драйвер MOSFET IGBT

NSI6602BD – це високонадійний ізольований двоканальний драйверів затворів MOSFET та IGBT транзисторів, фірми NOVOSENSE, які можуть бути застосовані для керування силовим транзистором із частотою перемикання до 2 МГц.

Кожен вихід може видавати струм 4А із швидкою затримкою розповсюдження 25 нс та максимальною затримкою узгодження 5 нс.

Максимальна напруга живлення виходів драйвера 25 В, входів від 2,7 В до 5 В. Драйвер має захист від зниженої напруги (UVLO), яка підтримується всіма виводами.

Призначений для силових ключів, що вимагають вищої напруги на затворі для відкриття.

Особливості:

• ізольований двоканальний драйвер;
• максимальна частота комутації: 2 МГц;
• діапазон напруги VDD нижнього рівня: 3,3...5;
• діапазон напруги керування ключами VCC: 7...25 В;
• поріг спрацьовування захисту UVLO: 8 В;
• допустимий вихідний струм: 4A;
• тип корпусу може бути SOW16 (широкий) або SOP16.

Застосування:

• джерела безперебійного живлення;
• сонячні інвертори;
• зарядні станції;
• зарядні пристрої для електромобілів.

Основна відмінність між модифікаціями AD і BD полягає в порозі спрацьовування захисту від зниженої напруги (UVLO - Under Voltage Lock Out) на стороні силової частини драйвера:

• NSi6602AD: Напруга UVLO складає 6 В. Цей варіант краще підходить для транзисторів, керованих нижчою напругою;
• NSi6602BD: Напруга UVLO складає 8 В. Призначений для силових ключів, що вимагають вищої напруги на затворі для повного відкриття.

У нашому інтернет-магазині можна придбати мікросхеми (драйвери) за низькою ціною.