Фильтр

Тип корпуса:

Тип транзистора:

Транзисторы

Втулка изоляционная для корпусу TO-220

Втулка изоляционная для корпусу TO‑220

Код товара: 25.8.1

В наличии

0,40 грн.

Транзистор IRF3205Z, MOSFET N-канал, 55V, 75A, 6.5мОм

Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм

Код товара: 25.5.1

В наличии

52 грн.

Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO-220

Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO‑220

Код товара: 25.8.2

В наличии

0,60 грн.

Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N-канал, 200V, 130A, 8.0мОм

Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N‑канал, 200V, 130A, 8.0мОм

Код товара: 25.5.2

В наличии

200 грн.

Прокладка теплопроводящая силиконовая 25x20 для TO-247

Прокладка теплопроводящая силиконовая 25x20 для TO‑247

Код товара: 25.8.3

В наличии

1,50 грн.

Транзистор CRST041N08N, MOSFET N-канал, 85V, 120A, 3.4мОм

Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм

Код товара: 25.5.3

В наличии

55 грн.

Транзистор CRST045N10N, MOSFET N-канал, 100V, 120A, 3.6мОм

Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм

Код товара: 25.5.4

В наличии

55 грн.

Транзистор NCE60H15, MOSFET N-канал, 60V, 150A, 3.1мОм

Транзистор NCE60H15, MOSFET N‑канал, 60V, 150A, 3.1мОм

Код товара: 25.5.5

В наличии

110 грн.

Транзистор NCEP85T16, MOSFET N-канал, 85V, 160A, 3.1мОм

Транзистор NCEP85T16, MOSFET N‑канал, 85V, 160A, 3.1мОм

Код товара: 25.5.6

В наличии

65 грн.

Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N-канал, 600V, 150A, 0.45мОм

Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N‑канал, 600V, 150A, 0.45мОм

Код товара: 25.5.7

В наличии

65 грн.

Транзистор CRG15T60A83L, IGBT+Diode, 600V, 15A, 39W

Транзистор CRG15T60A83L, IGBT+Diode, 600V, 15A, 39W

Код товара: 25.5.8

В наличии

60 грн.

Транзистор NCE20TD60B, IGBT + Diode, 600V, 20A, 54W

Транзистор NCE20TD60B, IGBT + Diode, 600V, 20A, 54W

Код товара: 25.5.9

В наличии

70 грн.

Транзистор XNF15N60T, IGBT + Diode, 600V, 15A, 11W

Транзистор XNF15N60T, IGBT + Diode, 600V, 15A, 11W

Код товара: 25.5.10

В наличии

50 грн.

Транзистор XNF20N60T, IGBT + Diode, 600V, 20A, 14W

Транзистор XNF20N60T, IGBT + Diode, 600V, 20A, 14W

Код товара: 25.5.11

В наличии

52 грн.

Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W

Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W

Код товара: 25.5.15

В наличии

210 грн.

ULN2004D1013TR, 7 N-P-N транзисторов Дарлингтона

ULN2004D1013TR, 7 N‑P‑N транзисторов Дарлингтона

Код товара: 25.5.16

В наличии

10,00 грн.


Транзисторы

Транзисторы являются полупроводниковыми приборами и относятся к активным электронным компонентам. С их помощью осуществляется переключение, преобразование, а также усиление и генерирование электрических сигналов.

Существует два основных вида транзисторов:

  • полевые (униполярные);
  • биполярные.

Полевые транзисторы

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении сопротивлением токопроводящего канала электрическим полем, которое создается напряжением, приложенным к затвору.

Как правило полевой транзистор имеет 3 вывода:

  • затвор (управляющий вывод);
  • сток;
  • исток.

Одними из самых распространенных являются транзисторы MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и внутренним соединением подложки и истока.

Отличительной особенностью MOSFET транзисторов является малое сопротивление открытого канала, что позволяет его применять в ключевом режиме в схемах управления инверторов, преобразователей, источников бесперебойного питания и т.д., где необходимо коммутировать мощную нагрузку.

Также существуют полевые транзисторы с каналом p- и n- типа. Высокое сопротивление затвора и малый ток управления этих транзисторов позволяет их использовать во входных цепях схем усиления сигналов.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы имеют трехвыводную структуру:

  • база;
  • коллектор;
  • эмиттер. 

Они являются токовым прибором, т.е. для работы необходимо чтобы через переход база-эмиттер протекал ток управления.

Отличительной особенностью биполярного транзистора, как токового прибора, является наличие коэффициента передачи тока (коэффициента усиления) в схеме с общим эмиттером (h21э).

Существует три схемы включения: с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой.

Биполярные транзисторы могут работать как в усилительном, так и в ключевом режиме.

В инверторах для солнечных батарей, преобразователях постоянного тока в переменный, в качестве электронного ключа применяются биполярные транзисторы IGBT (insulated-gate bipolar transistor) с изолированным затвором.

Их особенностью является наличие затвора вместо базы, что свойственно униполярным транзисторам.

Транзисторы IGBT обеспечивают оптимальную производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, и т.д., где важны низкие потери проводимости, быстрая скорость переключения, высокое входное сопротивление.

В нашем интернет-магазине Вы можете купить различные типы транзисторов MOSFET и IGBT для ремонта электронных плат зарядных станций EcoFlow, Bluetti, Alpha-ESS, а также инверторов Must, EASUN, Deye.