Транзисторы

Транзисторы являются полупроводниковыми приборами и относятся к активным электронным компонентам. С их помощью осуществляется переключение, преобразование, а также усиление и генерирование электрических сигналов.

Существует два основных вида транзисторов:

• полевые (униполярные);
• биполярные.

Полевые транзисторы

Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении сопротивлением токопроводящего канала электрическим полем, которое создается напряжением, приложенным к затвору.

Как правило полевой транзистор имеет 3 вывода:

• затвор (управляющий вывод);
• сток;
• исток.

Одними из самых распространенных являются транзисторы MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и внутренним соединением подложки и истока.

Отличительной особенностью MOSFET транзисторов является малое сопротивление открытого канала, что позволяет его применять в ключевом режиме в схемах управления инверторов, преобразователей, источников бесперебойного питания и т.д., где необходимо коммутировать мощную нагрузку.

Также существуют полевые транзисторы с каналом p- и n- типа. Высокое сопротивление затвора и малый ток управления этих транзисторов позволяет их использовать во входных цепях схем усиления сигналов.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы имеют трехвыводную структуру:

• база;
• коллектор;
• эмиттер. 

Они являются токовым прибором, т.е. для работы необходимо чтобы через переход база-эмиттер протекал ток управления.

Отличительной особенностью биполярного транзистора, как токового прибора, является наличие коэффициента передачи тока (коэффициента усиления) в схеме с общим эмиттером (h21э).

Существует три схемы включения: с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой.

Биполярные транзисторы могут работать как в усилительном, так и в ключевом режиме.

В инверторах для солнечных батарей, преобразователях постоянного тока в переменный, в качестве электронного ключа применяются биполярные транзисторы IGBT (insulated-gate bipolar transistor) с изолированным затвором.

Их особенностью является наличие затвора вместо базы, что свойственно униполярным транзисторам.

Транзисторы IGBT обеспечивают оптимальную производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, и т.д., где важны низкие потери проводимости, быстрая скорость переключения, высокое входное сопротивление.

В нашем интернет-магазине Вы можете купить различные типы транзисторов MOSFET и IGBT для ремонта электронных плат зарядных станций EcoFlow, Bluetti, Alpha-ESS, а также инверторов Must, EASUN, Deye.