Фильтр
Тип корпуса:
Тип транзистора:
Транзисторы
Транзисторы являются полупроводниковыми приборами и относятся к активным электронным компонентам. С их помощью осуществляется переключение, преобразование, а также усиление и генерирование электрических сигналов.
Существует два основных вида транзисторов:
- полевые (униполярные);
- биполярные.
Полевые транзисторы
Принцип действия полевых транзисторов основан на управлении сопротивлением токопроводящего канала электрическим полем, которое создается напряжением, приложенным к затвору.
Как правило полевой транзистор имеет 3 вывода:
- затвор (управляющий вывод);
- сток;
- исток.
Одними из самых распространенных являются транзисторы MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), с изолированным затвором обогащенного типа с n-каналом и внутренним соединением подложки и истока.
Отличительной особенностью MOSFET транзисторов является малое сопротивление открытого канала, что позволяет его применять в ключевом режиме в схемах управления инверторов, преобразователей, источников бесперебойного питания и т.д., где необходимо коммутировать мощную нагрузку.
Также существуют полевые транзисторы с каналом p- и n- типа. Высокое сопротивление затвора и малый ток управления этих транзисторов позволяет их использовать во входных цепях схем усиления сигналов.
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы имеют трехвыводную структуру:
- база;
- коллектор;
- эмиттер.
Они являются токовым прибором, т.е. для работы необходимо чтобы через переход база-эмиттер протекал ток управления.
Отличительной особенностью биполярного транзистора, как токового прибора, является наличие коэффициента передачи тока (коэффициента усиления) в схеме с общим эмиттером (h21э).
Существует три схемы включения: с общим эмиттером, с общим коллектором и с общей базой.
Биполярные транзисторы могут работать как в усилительном, так и в ключевом режиме.
В инверторах для солнечных батарей, преобразователях постоянного тока в переменный, в качестве электронного ключа применяются биполярные транзисторы IGBT (insulated-gate bipolar transistor) с изолированным затвором.
Их особенностью является наличие затвора вместо базы, что свойственно униполярным транзисторам.
Транзисторы IGBT обеспечивают оптимальную производительность для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, и т.д., где важны низкие потери проводимости, быстрая скорость переключения, высокое входное сопротивление.
В нашем интернет-магазине Вы можете купить различные типы транзисторов MOSFET и IGBT для ремонта электронных плат зарядных станций EcoFlow, Bluetti, Alpha-ESS, а также инверторов Must, EASUN, Deye.