-
images as string
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
|
|
|
|
-
33 грн.
- 4 или больше 30 грн.
- 16 или больше 25 грн.
Транзистор IRF3205Z разработанный фирмой International Rectifier (IR).
Этот HEXFET® Power MOSFET использует новейшие технологии для достижения очень низкого сопротивления открытого канала
и имеет рабочую температуру перехода 175°C, быструю скорость переключения и улучшенную повторяемость.
Эти функции совмещаются, чтобы сделать его чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в автомобильных устройсвах и преобразовательной технике (DC/DC конверторах и инверторах).
| Общие характеристики | |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток | 55 V |
| Id – максимальный ток стока при 25°C | 75 A |
| Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии | 6.5 mΩ |
| Vgs – максимальное напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Vgs(th) - пороговое напряжение затвора | 2V ... 4V |
| Ciss – емкость затвора | 3450 pF |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Pd - рассеиваемая мощность при 25°C | 170 W |
Рекомендуемые товары
-
Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N‑канал, 200V, 130A, 8.0мОм
105 грн.
-
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
35 грн.
-
Транзистор NCE60H15, MOSFET N‑канал, 60V, 150A, 3.1мОм
60 грн.
-
Микросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
-
Втулка изоляционная для корпусу TO‑220
0,40 грн.
-
Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
-
Микросхема EG2106 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
