Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.
  • Транзистор Дарлингтона BD678G, PNP+Diode, -60V, 4A (аналог BD678, 2N6035)
  • Транзистор Дарлингтона BD678G, PNP+Diode, -60V, 4A (аналог BD678, 2N6035)
  • Транзистор Дарлингтона BD678G, PNP+Diode, -60V, 4A (аналог BD678, 2N6035)
  • Транзистор Дарлингтона BD678G, PNP+Diode, -60V, 4A (аналог BD678, 2N6035)

Транзистор Дарлингтона BD678G, PNP+Diode, ‑60V, 4A (аналог BD678, 2N6035)

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Код товара: 25.5.22
  • Артикул: BD678
  • Документация: BD678.pdf
  • Наличие: 60 шт.
  • 8,50 грн.

  • 10 или больше 8,00 грн.
92

Быстрый заказ:

Мы перезвоним Вам и уточним детали

0 отзывов / Написать отзыв

Транзистор BD678 фирмы ON Semi – это биполярный транзистор Дарлингтона средней мощности, структуры P-N-P, в корпусе TO-126.

Применяется в усилителях мощности, в цепях управления двигателями постоянного тока (PWM) и другом линейном и коммутационном промышленное оборудовании.

Характеристики:

  • тип транзистора: P-N-P составной
  • напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс: -60 V
  • постоянный ток коллектора (Ic): 4 А
  • напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • усиление постоянного тока (hFE): от 750
  • граничная частота усиления (fT): 190 МГц
  • температурный диапазон: -65°C...+150°C
  • рассеяние мощности Pd при 25°C: 40 W
  • тип корпуса: TO-126 (SOT32)
  • комплементарная пара: BD677

Возможная замена: 2N6034, 2N6035, KSE800, MJE800.

Более подробно ознакомиться с параметрами транзистора можно в разделе Характеристики или открыть описание PDF.

В нашем интернет магазине можно купить транзистор BD678 по низкой цене.


Общие характеристики
Аналоги 2N6034, 2N6035, KSE800, MJE800
Тип корпуса SOT32 (TO-126)
Рабочая температура -65°C...+150°C
Vces – максимальное напряжение коллектор-эмиттер -60 V
Ic – максимальный ток коллектора при 25°C 4 A
Pd - рассеиваемая мощность при 25°C 40 W
hFE - усиление постоянного тока 750
fT - граничная частота усиления 190 MHz
Дополнительные характеристики
Комплементарная пара BD677

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Рекомендуемые товары

  • Микросхема LM358P операционный усилитель

    Микросхема LM358P операционный усилитель

    5,50 грн.

  • ULN2004D1013TR, 7 N-P-N транзисторов Дарлингтона

    ULN2004D1013TR, 7 N‑P‑N транзисторов Дарлингтона

    10,20 грн.

  • Диод 1N4007 1000V/1A

    Диод 1N4007 1000V/1A

    0,90 грн.

  • Транзистор Дарлингтона BD677, NPN+Diode, 60V, 4A

    Транзистор Дарлингтона BD677, NPN+Diode, 60V, 4A

    8,50 грн.