Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.
  • Транзистор Дарлингтона BD677G, NPN+Diode, 60V, 4A (аналог BD677, 2N6038)
  • Транзистор Дарлингтона BD677G, NPN+Diode, 60V, 4A (аналог BD677, 2N6038)
  • Транзистор Дарлингтона BD677G, NPN+Diode, 60V, 4A (аналог BD677, 2N6038)
  • Транзистор Дарлингтона BD677G, NPN+Diode, 60V, 4A (аналог BD677, 2N6038)

Транзистор Дарлингтона BD677G, NPN+Diode, 60V, 4A (аналог BD677, 2N6038)

  • Производитель: ON Semiconductor
  • Код товара: 25.5.21
  • Артикул: BD677
  • Документация: BD677.pdf
  • Наличие: 13 шт.
  • 8,50 грн.

  • 10 или больше 8,00 грн.
92

Быстрый заказ:

Мы перезвоним Вам и уточним детали

0 отзывов / Написать отзыв

Транзистор BD677 фирмы ON Semi – это биполярный транзистор Дарлингтона средней мощности, структуры N-P-N, в корпусе TO-126.

Применяется в усилителях мощности, в цепях управления двигателями постоянного тока (PWM) и другом линейном и коммутационном промышленное оборудовании.

Характеристики:

  • тип транзистора: N-P-N составной
  • напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс: 60 V
  • постоянный ток коллектора (Ic): 4 А
  • напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • усиление постоянного тока (hFE): от 750
  • граничная частота усиления (fT): 190 МГц
  • температурный диапазон: -65°C...+150°C
  • рассеяние мощности Pd при 25°C: 40 W
  • тип корпуса: TO-126 (SOT32)
  • комплементарная пара: BD678

Возможная замена: 2N6037, 2N6038, KSE700, MJE700..

Более подробно ознакомиться с параметрами транзистора можно в разделе Характеристики или открыть описание PDF.

В нашем интернет магазине можно купить транзистор BD677 по низкой цене.


Общие характеристики
Аналоги 2N6037, 2N6038, KSE700, MJE700
Тип корпуса SOT32 (TO-126)
Рабочая температура -65°C...+150°C
Vces – максимальное напряжение коллектор-эмиттер 60 V
Ic – максимальный ток коллектора при 25°C 4 A
Pd - рассеиваемая мощность при 25°C 40 W
hFE - усиление постоянного тока 750
fT - граничная частота усиления 190 MHz
Дополнительные характеристики
Комплементарная пара BD678

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Рекомендуемые товары

  • Транзистор Дарлингтона BD678, PNP+Diode, -60V, 4A

    Транзистор Дарлингтона BD678, PNP+Diode, ‑60V, 4A

    8,50 грн.