-
images as string
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
|
|
|
|
-
35 грн.
- 4 или больше 33 грн.
- 16 или больше 30 грн.
Быстрый заказ:
Транзистор CRST045N10N фирмы CRMICRO имеет следующие преимущества:
- использует усовершенствованную технологию CRM(CQ) SkyMOS1;
- очень низкое сопротивление включению Rds(on);
- квалифицированный в соответствии с критериями JEDEC.
Применение:
- управление двигателями и приводами;
- управление аккумуляторной батареей;
- UPS (источники бесперебойного питания).
| Общие характеристики | |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток | 100 V |
| Id – максимальный ток стока при 25°C | 120 A |
| Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии | 3.6 mΩ |
| Vgs – максимальное напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Vgs(th) - пороговое напряжение затвора | 2V ... 4V |
| Ciss – емкость затвора | 6772 pF |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Pd - рассеиваемая мощность при 25°C | 227 W |
Рекомендуемые товары
-
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
33 грн.
-
Транзистор CRG15T60A83L, IGBT + Diode, 600V, 15A, 39W
61 грн.
-
Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм
32 грн.
-
Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N‑канал, 600V, 13.5A, 0.45мОм
67 грн.
-
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W
175 грн.
-
Микросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT
56 грн.
-
Микросхема EG1160 драйвер MOSFET IGBT
51 грн.
-
Микросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
-
Втулка изоляционная для корпусу TO‑220
0,40 грн.
-
Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
-
Микросхема EG2106 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
