-
images as string
Транзистор CRST045N10N, MOSFET N‑канал, 100V, 120A, 3.6мОм
|
|
|
|
-
35 грн.
- 4 или больше 33 грн.
- 16 или больше 30 грн.
Быстрый заказ:
Транзистор CRST045N10N фирмы CRMICRO имеет следующие преимущества:
- использует усовершенствованную технологию CRM(CQ) SkyMOS1;
- очень низкое сопротивление включению Rds(on);
- квалифицированный в соответствии с критериями JEDEC.
Применение:
- управление двигателями и приводами;
- управление аккумуляторной батареей;
- UPS (источники бесперебойного питания).
| Общие характеристики | |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток | 100 V |
| Id – максимальный ток стока при 25°C | 120 A |
| Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии | 3.6 mΩ |
| Vgs – максимальное напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Vgs(th) - пороговое напряжение затвора | 2V ... 4V |
| Ciss – емкость затвора | 6772 pF |
| Qg - заряд затвора | 90 nC |
| Pd - рассеиваемая мощность при 25°C | 227 W |
Рекомендуемые товары
Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм
33 грн.
Транзистор CRG15T60A83L, IGBT + Diode, 600V, 15A, 39W
61 грн.
Транзистор CRST041N08N, MOSFET N‑канал, 85V, 120A, 3.4мОм
32 грн.
Транзистор STP14NK60Z, MOSFET N‑канал, 600V, 13.5A, 0.45мОм
67 грн.
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT + Diode, 600V, 60A, 150W
175 грн.
Микросхема EG2113D драйвер MOSFET IGBT
56 грн.
Микросхема EG1160 драйвер MOSFET IGBT
51 грн.
Микросхема EG2132 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.
Втулка изоляционная для корпусу TO‑220
0,40 грн.
Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO‑220
0,60 грн.
Микросхема EG2106 драйвер MOSFET IGBT
18 грн.