Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.Шановні покупці! У нас зараз не робочий час. Всі оформлені замовлення ми опрацюємо у найближчий робочий день.
  • Транзистор NCE40H12, MOSFET N-канал, 40V, 120A, 4мОм
  • Транзистор NCE40H12, MOSFET N-канал, 40V, 120A, 4мОм
  • Транзистор NCE40H12, MOSFET N-канал, 40V, 120A, 4мОм

Транзистор NCE40H12, MOSFET N‑канал, 40V, 120A, 4мОм

  • Производитель: NCE
  • Код товара: 25.5.55
  • Артикул: NCE40H12
  • Документация: NCE40H12.pdf
  • Наличие: 50 шт.
  • 30 грн.

  • 4 или больше 26 грн.
  • 16 или больше 22 грн.
92

Быстрый заказ:

Мы перезвоним Вам и уточним детали

0 отзывов / Написать отзыв

Транзистор NCE40H12A фирмы NCE имеет следующие преимущества:

  • конструкция ячейки высокой плотности для ультранизкого Rds(on);
  • полная характеристика лавинного напряжения и тока;
  • хорошая стабильность и однородность с высоким EAS;
  • специальная технология для высокой способности ESD.

Применение:

  • схемы коммутации питания;
  • жестко коммутируемые и высокочастотные цепи;
  • бесперебойный источник питания.

Общие характеристики
Тип корпуса TO-220AB
V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток 40 V
Id – максимальный ток стока при 25°C 120 A
Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии 4 mΩ
Vgs – максимальное напряжение затвор-исток ±20 V
Vgs(th) - пороговое напряжение затвора 1.2 ... 2.5 V
Ciss – емкость затвора 5400 pF
Qg - заряд затвора 75 nC
Pd - рассеиваемая мощность при 25°C 130 W

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Рекомендуемые товары

  • Транзистор IRF3205Z, MOSFET N-канал, 55V, 75A, 6.5мОм

    Транзистор IRF3205Z, MOSFET N‑канал, 55V, 75A, 6.5мОм

    33 грн.

  • Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N-канал, 200V, 130A, 8.0мОм

    Транзистор IRFP4668PBF, MOSFET N‑канал, 200V, 130A, 8.0мОм

    105 грн.

  • Транзистор NCEP85T16, MOSFET N-канал, 85V, 160A, 3.1мОм

    Транзистор NCEP85T16, MOSFET N‑канал, 85V, 160A, 3.1мОм

    63 грн.

  • Транзистор NCE20TD60B, IGBT + Diode, 600V, 20A, 54W

    Транзистор NCE20TD60B, IGBT + Diode, 600V, 20A, 54W

    50 грн.

  • Втулка изоляционная для корпусу TO-220

    Втулка изоляционная для корпусу TO‑220

    0,40 грн.

  • Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO-220

    Прокладка теплопроводящая силиконовая 19x13 для TO‑220

    0,60 грн.