• Транзистор PDTC143ET (W02, p02, t02), NPN+R, 50V, 0.1A
  • Транзистор PDTC143ET (W02, p02, t02), NPN+R, 50V, 0.1A
  • Транзистор PDTC143ET (W02, p02, t02), NPN+R, 50V, 0.1A
  • Транзистор PDTC143ET (W02, p02, t02), NPN+R, 50V, 0.1A

Транзистор PDTC143ET (W02, p02, t02), NPN+R, 50V, 0.1A

  • Производитель: NXP
  • Код товара: 25.5.34
  • Артикул: PDTC143ET
  • Документация: PDTC143ET.pdf
  • Наличие: 2570 шт.
  • 1,20 грн.

  • 30 или больше 1,10 грн.
  • 100 или больше 1,00 грн.
92
Минимальное количество для заказа: 10 шт.

Быстрый заказ:

Мы перезвоним Вам и уточним детали

0 отзывов / Написать отзыв

Транзистор PDTC143ET фирмы NXP – это биполярный транзистор малой мощности, N-P-N структуры, в встроеным резистивным делителем в цепях база-эммитерного перехода, в корпусе SOT-23.

Применяется в схемах коммутация общего назначения.

Характеристики:

  • тип транзистора: N-P-N
  • напряжение коллектор-эмиттер (Vce), макс: 50 V
  • постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 А
  • усиление постоянного тока (hFE): 30
  • граничная частота усиления (fT): 20 МГц
  • температурный диапазон: -65°C...+150°C
  • рассеяние мощности Pd при 25°C: 0.25 W
  • тип корпуса: SOT-23
  • возможна замена: RT1N141C (N1)
  • маркировка: W02, p02, t02

Буква в маркировке обознаяает страну производителя: 

  • p - сделано в Hong Kong
  • t - сделано в Malaysia
  • W - сделано в China

Более подробно ознакомиться с параметрами транзистора можно в разделе Характеристики или открыть описание PDF.

В нашем интернет магазине можно купить транзистор PDTC143ET по низкой цене.


Общие характеристики
Тип корпуса SOT-23
Рабочая температура -65°C...+150°C
Vces – максимальное напряжение коллектор-эмиттер 50 V
Ic – максимальный ток коллектора при 25°C 0.1 A
Pd - рассеиваемая мощность при 25°C 0.25 W
hFE - усиление постоянного тока 30
Дополнительные характеристики
Маркировка p02, t02, W02

Написать отзыв

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.