-
images as string
Транзистор BS170, MOSFET N‑канал, 60V, 0.5A, 1.2Ом
|
|
|
|
-
11,00 грн.
- 10 или больше 10,00 грн.
Быстрый заказ:
Транзистор BS170 фирмы ON Semiconductor – полевой транзистор малой мощности с изолированным каналом N структуры, в корпусе TO-92.
Применяется в схемах коммутация и усиление общего назначения.
Характеристики:
- V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток, 60 V
- Id – максимальный ток стока при 25°C, 0.5 A
- Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии, 1.2 Ω (Vgs=10V, Id=200mA)
- Vgs – максимальное напряжение затвор-исток, ±20 V
- Vgs(th) - пороговое напряжение затвора, 0.8V ... 3V (Vds=Vgs, Id=1mA)
- Ciss – емкость затвора, 24 pF (Vgs=0V, Vds=10V)
- Pd - рассеиваемая мощность при 25°C, 830 mW
- тип корпуса, TO-92
Более подробно ознакомиться с параметрами транзистора можно в разделе Характеристики или открыть описание PDF.
В нашем интернет магазине можно купить транзистор BS170 по низкой цене.
| Общие характеристики | |
| Тип корпуса | TO-92 |
| Рабочая температура | -50°C...+150°C |
| V(BR)DSS - максимальное напряжение сток-исток | 60 V |
| Id – максимальный ток стока при 25°C | 500 mA |
| Rds(on) – сопротивление канала в открытом состоянии | 1.2 Ω |
| Vgs – максимальное напряжение затвор-исток | ±20 V |
| Vgs(th) - пороговое напряжение затвора | 0.8V ... 3V |
| Ciss – емкость затвора | 24 pF |
| Pd - рассеиваемая мощность при 25°C | 830 mW |
Рекомендуемые товары
-
Транзистор BS107A, MOSFET N‑канал, 200V, 0.25A, 6.4Ом
21,00 грн.
-
Транзистор 2N7002, MOSFET N‑канал, 60V, 0.2A, 5Ом
1,20 грн.
